Silicon carbide single crystal and method for producing silicon carbide single crystal

WO2021215120 Art A1 28. Oktober 2021

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021215120
Aktenzeichen: EP21793329
Anmeldetag: 3. März 2021
Veröffentlichung: 28. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B23/06C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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