Ultra-high density memory and multilevel memory element, and method for manufacturing same

WO2021215638 Art A1 28. Oktober 2021

Anmelder: UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECH 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021215638
Aktenzeichen: EP21791833
Anmeldetag: 18. Februar 2021
Veröffentlichung: 28. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11585H01L21/02H01L29/78H01L29/51H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECH
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology)

UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology) ist eine staatliche südkoreanische Technische Universität in Ulsan. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Medizintechnik und Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2018 bis 2025 betreffen unter anderem Dünnschichtverfahren für Katalysatormaterialien.

272 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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