Transistors, memory arrays, and methods used in forming an array of memory cells individually comprising a transistor

WO2021216249 Art A1 28. Oktober 2021

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021216249
Aktenzeichen: EP21793237
Anmeldetag: 25. März 2021
Veröffentlichung: 28. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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