Three-dimensional memory device and method for forming the same

WO2021217359 Art A1 4. November 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021217359
Aktenzeichen: EP20933423
Anmeldetag: 27. April 2020
Veröffentlichung: 4. November 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/522H01L27/11582H01L21/768G11C16/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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