Gan/two-dimensional ain heterojunction rectifier on silicon substrate and preparation method therefor

WO2021217875 Art A1 4. November 2021

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021217875
Aktenzeichen: EP20932992
Anmeldetag: 7. Juli 2020
Veröffentlichung: 4. November 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/06H01L29/45

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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