Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus Halbleitermaterial
WO2021219381
Art A1
4. November 2021
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021219381
- Aktenzeichen
- EP21717127
- Anmeldetag
- 14. April 2021
- Veröffentlichung
- 4. November 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/67H01L21/687C23C16/458C30B25/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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