Electronic structures comprising multiple, adjoining high¿k dielectric materials and related electronic devices, systems, and methods

WO2021222920 Art A1 4. November 2021

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021222920
Aktenzeichen: EP21796618
Anmeldetag: 19. April 2021
Veröffentlichung: 4. November 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11568H01L27/11582H01L27/11565H01L29/792H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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