Control method and controller of 3d nand flash

WO2021223099 Art A1 11. November 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021223099
Aktenzeichen: EP20934627
Anmeldetag: 6. Mai 2020
Veröffentlichung: 11. November 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/04G11C16/10G11C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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