Integrated assemblies having conductive material along three of four sides around active regions, and methods of forming integrated assemblies

WO2021225805 Art A1 11. November 2021

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2021225805
Aktenzeichen
EP21800494
Anmeldetag
23. April 2021
Veröffentlichung
11. November 2021
Rechtsraum
WO
IPC
H01L27/108H01L27/11504H01L27/11507H01L21/8234
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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