Integrated assemblies having conductive material along three of four sides around active regions, and methods of forming integrated assemblies
WO2021225805
Art A1
11. November 2021
Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021225805
- Aktenzeichen
- EP21800494
- Anmeldetag
- 23. April 2021
- Veröffentlichung
- 11. November 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/108H01L27/11504H01L27/11507H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICRON TECHNOLOGY, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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