Tunnel field effect transistor drain end underlap region self-aligning preparation method

WO2021227448 Art A1 18. November 2021

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021227448
Aktenzeichen: EP20935980
Anmeldetag: 30. November 2020
Veröffentlichung: 18. November 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/417H01L21/336H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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