Silicon wafer etching method and etching apparatus
WO2021229894
Art A1
18. November 2021
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021229894
- Aktenzeichen
- EP21804819
- Anmeldetag
- 2. März 2021
- Veröffentlichung
- 18. November 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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