Microelectromechanical device with beam structure over silicon nitride undercut
WO2021231819
Art A1
18. November 2021
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021231819
- Aktenzeichen
- EP21803694
- Anmeldetag
- 14. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 18. November 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81B7/02H01L21/365H01L21/033
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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