3d nand flash and operation method thereof
WO2021232223
Art A1
25. November 2021
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021232223
- Aktenzeichen
- EP20936948
- Anmeldetag
- 19. Mai 2020
- Veröffentlichung
- 25. November 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
Vertreten von
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