3d nand flash memory device and integration method thereof

WO2021232259 Art A1 25. November 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021232259
Aktenzeichen: EP20936951
Anmeldetag: 20. Mai 2020
Veröffentlichung: 25. November 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11529H01L27/11553H01L27/11573H01L27/11578G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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