Nanowire ion-gated synaptic transistor and manufacturing method therefor

WO2021232656 Art A1 25. November 2021

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021232656
Aktenzeichen: EP20936266
Anmeldetag: 29. September 2020
Veröffentlichung: 25. November 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/772H01L29/10H01L29/423H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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