Wafer edge exposure apparatus and method, and lithographic device
WO2021233121
Art A1
25. November 2021
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021233121
- Aktenzeichen
- EP21809129
- Anmeldetag
- 30. April 2021
- Veröffentlichung
- 25. November 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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