Through-stack contact via structures for a three-dimensional memory device and methods of forming the same

WO2021236169 Art A1 25. November 2021

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021236169
Aktenzeichen: EP20936676
Anmeldetag: 30. Dezember 2020
Veröffentlichung: 25. November 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L23/522H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von