Preventing Parasitic Current During Program Operations in Memory

WO2021236280 Art A1 25. November 2021

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021236280
Aktenzeichen: EP21808447
Anmeldetag: 21. April 2021
Veröffentlichung: 25. November 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/56G11C16/04G11C16/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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