Improved vertical 3d memory device and accessing method

WO2021240203 Art A1 2. Dezember 2021

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021240203
Aktenzeichen: EP20937459
Anmeldetag: 25. Mai 2020
Veröffentlichung: 2. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L45/00H01L29/786G11C16/08G11C16/30G11C16/26G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von