Method for producing nitride semiconductor photocatalyst thin film
WO2021240591
Art A1
2. Dezember 2021
Anmelder: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021240591
- Aktenzeichen
- EP20938237
- Anmeldetag
- 25. Mai 2020
- Veröffentlichung
- 2. Dezember 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B01J35/02C30B29/38C23C14/06C23C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NTT (Nippon Telegraph and Telephone)
Japanischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Tokio. NTT ist im Festnetz-, Mobilfunk- und Datennetzgeschäft aktiv und entwickelt Technologien für Netzwerkinfrastruktur, Glasfaser, Cloud-Dienste und Informations- und Kommunikationssysteme.
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Vertreten von
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