Method for manufacturing high silicate glass substrate, high silicate glass substrate and porous glass
WO2021246345
Art A1
9. Dezember 2021
Anmelder: AGC INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021246345
- Aktenzeichen
- EP21818175
- Anmeldetag
- 28. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 9. Dezember 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C03B32/00C03B33/09C03C3/06C03C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- AGC INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
AGC (Asahi Glass)
Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.
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