Method for manufacturing high silicate glass substrate, high silicate glass substrate and porous glass

WO2021246345 Art A1 9. Dezember 2021

Anmelder: AGC INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2021246345
Aktenzeichen
EP21818175
Anmeldetag
28. Mai 2021
Veröffentlichung
9. Dezember 2021
Rechtsraum
WO
IPC
C03B32/00C03B33/09C03C3/06C03C11/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
AGC INC.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 AGC (Asahi Glass)

Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.

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