Method for fabricating ¿-ga2o3 thin film

WO2021246697 Art A1 9. Dezember 2021

Anmelder: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021246697
Aktenzeichen: EP21816670
Anmeldetag: 24. Mai 2021
Veröffentlichung: 9. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C30B29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

Südkoreanische Einrichtung, die Forschungsprojekte und Technologietransfer der Korea University verwaltet, patentiert Ergebnisse aus universitärer Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin und überführt sie in Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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