In-Feature Wet Etch Rate Ratio Reduction

WO2021247592 Art A1 9. Dezember 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021247592
Aktenzeichen: EP21817015
Anmeldetag: 1. Juni 2021
Veröffentlichung: 9. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C23C16/40C23C16/455C23C16/52

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von