Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming the same

WO2021248426 Art A1 16. Dezember 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021248426
Aktenzeichen: EP20939879
Anmeldetag: 12. Juni 2020
Veröffentlichung: 16. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11582H01L27/11524H01L27/11556G11C16/04G11C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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