Substrate thinning method, substrate thinning device, and operating method thereof

WO2021248951 Art A1 16. Dezember 2021

Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY, HWATSING TECHNOLOGY CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021248951
Aktenzeichen: EP21822344
Anmeldetag: 11. März 2021
Veröffentlichung: 16. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304H01L21/306H01L21/66H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TSINGHUA UNIVERSITY
HWATSING TECHNOLOGY CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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