Developing device and developing method

WO2021249188 Art A1 16. Dezember 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021249188
Aktenzeichen: EP21821944
Anmeldetag: 26. Mai 2021
Veröffentlichung: 16. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/67G03F7/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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