Three-dimensional capacitor/inductor based on high-functional-density through-silicon via structure, and preparation method

WO2021253512 Art A1 23. Dezember 2021

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021253512
Aktenzeichen: EP20941329
Anmeldetag: 2. Juli 2020
Veröffentlichung: 23. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/522H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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