Silicon dioxide thin film forming method and metal gate forming method
WO2021254108
Art A1
23. Dezember 2021
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021254108
- Aktenzeichen
- EP21825474
- Anmeldetag
- 25. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 23. Dezember 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/316H01L21/283
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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