Precise bottom junction formation for vertical transport field effect transistor with highly doped epitaxial source/drain, sharp junction gradient, and/or reduced parasitic capacitance

WO2021255559 Art A1 23. Dezember 2021

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021255559
Aktenzeichen: EP21825029
Anmeldetag: 28. Mai 2021
Veröffentlichung: 23. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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