Cutoff gate electrodes for switches for a three-dimensional memory device and method of making the same

WO2021257121 Art A1 23. Dezember 2021

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021257121
Aktenzeichen: EP20941244
Anmeldetag: 28. Dezember 2020
Veröffentlichung: 23. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/423H01L27/118H01L27/11517

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

1.388 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von