Igbt device backside structure and preparation method therefor, and igbt device

WO2021259088 Art A1 30. Dezember 2021

Anmelder: STATE GRID SMART GRID RESEARCH INSTITUTE CO., LTD., STATE GRID SHANXI ELECTRIC POWER RESEARCH INSTITUTE, STATE GRID CORPORATION OF CHINA 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021259088
Aktenzeichen: EP21828511
Anmeldetag: 15. Juni 2021
Veröffentlichung: 30. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/739H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STATE GRID SMART GRID RESEARCH INSTITUTE CO., LTD.
STATE GRID SHANXI ELECTRIC POWER RESEARCH INSTITUTE
STATE GRID CORPORATION OF CHINA
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 State Grid Corporation of China

State Grid Corporation of China ist der chinesische staatliche Stromnetzbetreiber und einer der größten Energieversorger weltweit. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Elektrische Energietechnik sowie Software und Mess-/Prüftechnik, ergänzt durch Halbleitertechnik. Anmeldungen sind von 2009 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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