N-type sns thin-film, photoelectric transducer, solar cell, n-type sns thin-film production method, and n-type sns thin-film production device
WO2021261089
Art A1
30. Dezember 2021
Anmelder: UNIVERSITY OF YAMANASHI, TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021261089
- Aktenzeichen
- EP21829266
- Anmeldetag
- 6. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 30. Dezember 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01G19/00C23C14/06C23C14/34H01L21/203H01L31/068
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- UNIVERSITY OF YAMANASHI
TOHOKU UNIVERSITY - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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