Method for manufacturing semiconductor laser element, semiconductor laser element, and semiconductor laser device

WO2021261192 Art A1 30. Dezember 2021

Anmelder: NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2021261192
Aktenzeichen
EP21828341
Anmeldetag
2. Juni 2021
Veröffentlichung
30. Dezember 2021
Rechtsraum
WO
IPC
H01S5/40B23K26/364B23K26/402H01L21/301H01S5/024H01S5/026H01S5/343
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nuvoton Technology Corporation Japan

Nuvoton Technology Corporation Japan ist die japanische Tochtergesellschaft des taiwanischen Halbleiterunternehmens Nuvoton. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik. Anmeldungen laufen seit 2003 bis in die Gegenwart.

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