Silicon wafer and method for producing silicon wafer
WO2021261309
Art A1
30. Dezember 2021
Anmelder: GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD., TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021261309
- Aktenzeichen
- EP21829687
- Anmeldetag
- 14. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 30. Dezember 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B33/02H01L21/322H01L21/324C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
TOHOKU UNIVERSITY - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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