Flexible transistors with near-junction heat dissipation

WO2021262317 Art A2 30. Dezember 2021

Anmelder: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021262317
Aktenzeichen: EP21828751
Anmeldetag: 29. April 2021
Veröffentlichung: 30. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/367H01L29/66H01L29/778H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

US-amerikanische, mit der University of Wisconsin-Madison verbundene Organisation, die Patente aus universitärer Forschung verwaltet und lizenziert. Die Stiftung wurde 1925 gegründet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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