Electrode/dielectric barrier material formation and structures

WO2021262658 Art A1 30. Dezember 2021

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021262658
Aktenzeichen: EP21829638
Anmeldetag: 22. Juni 2021
Veröffentlichung: 30. Dezember 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L49/02C23C16/36C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von