Free-standing substrate for epitaxial crystal growth, and functional element
WO2022004046
Art A1
6. Januar 2022
Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022004046
- Aktenzeichen
- EP21832878
- Anmeldetag
- 19. Februar 2021
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B19/02C30B25/20H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK INSULATORS, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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