Thin-Film Transistor

WO2022004838 Art A1 6. Januar 2022

Anmelder: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022004838
Aktenzeichen: EP21834195
Anmeldetag: 1. Juli 2021
Veröffentlichung: 6. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/316H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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