Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

WO2022005836 Art A1 6. Januar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022005836
Aktenzeichen: EP21834002
Anmeldetag: 23. Juni 2021
Veröffentlichung: 6. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11551H01L27/11578H01L27/11519H01L27/11565H01L27/11548H01L27/11575

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von