Integrated assemblies having transistors configured for high-voltage applications, and methods of forming integrated assemblies
WO2022006021
Art A1
6. Januar 2022
Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022006021
- Aktenzeichen
- EP21832846
- Anmeldetag
- 28. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/40H01L29/08H01L27/088
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICRON TECHNOLOGY, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.