Integrated assemblies having transistors configured for high-voltage applications, and methods of forming integrated assemblies

WO2022006021 Art A1 6. Januar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022006021
Aktenzeichen
EP21832846
Anmeldetag
28. Juni 2021
Veröffentlichung
6. Januar 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/78H01L29/40H01L29/08H01L27/088
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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