Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

WO2022006715 Art A1 13. Januar 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022006715
Aktenzeichen: EP20944432
Anmeldetag: 6. Juli 2020
Veröffentlichung: 13. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11578

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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