Methods for forming three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape

WO2022006775 Art A1 13. Januar 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022006775
Aktenzeichen: EP20944639
Anmeldetag: 8. Juli 2020
Veröffentlichung: 13. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11582H01L27/11556H01L27/11551H01L27/11524

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen