Silicon carbide semiconductor device

WO2022009474 Art A1 13. Januar 2022

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD., NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022009474
Aktenzeichen: EP21838103
Anmeldetag: 11. März 2021
Veröffentlichung: 13. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/78H01L29/12H01L21/336H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von