Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2022009556 Art A1 13. Januar 2022

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022009556
Aktenzeichen: EP21838264
Anmeldetag: 28. Mai 2021
Veröffentlichung: 13. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/07H01L25/18H01L21/60H01L21/607H05K1/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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