Method for producing heteroconductive member

WO2022009685 Art A1 13. Januar 2022

Anmelder: FUJIFILM CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022009685
Aktenzeichen: EP21838684
Anmeldetag: 24. Juni 2021
Veröffentlichung: 13. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C25D11/04C25D11/12C25D11/20C25D11/24C25D11/26C25D11/34H01B13/00H01R11/01H01R43/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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