Composition for forming lithography film, resist pattern forming method, and circuit pattern forming method
WO2022009948
Art A1
13. Januar 2022
Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022009948
- Aktenzeichen
- EP21838413
- Anmeldetag
- 8. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 13. Januar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C07C39/14C07C43/23C08G8/00C08G8/20G03F7/004G03F7/038G03F7/039G03F7/11G03F7/20G03F7/40H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
1.434 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.