Memory With Per die Temperature-Compensated Refresh Control

WO2022010765 Art A1 13. Januar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022010765
Aktenzeichen: EP21838795
Anmeldetag: 2. Juli 2021
Veröffentlichung: 13. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/406G11C7/04G11C11/408G11C5/04G06F3/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

Vertreten von