Integrated resistor network and method for fabricating the same
WO2022010827
Art A1
13. Januar 2022
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022010827
- Aktenzeichen
- EP21837363
- Anmeldetag
- 6. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 13. Januar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03M1/66H03M1/74H03M1/76H03M1/78H03M1/80
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INFINEON TECHNOLOGIES LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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