Noise Reduction During Parallel Plane Access in A Multi-Plane Memory Device

WO2022011309 Art A1 13. Januar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022011309
Aktenzeichen: EP21749487
Anmeldetag: 9. Juli 2021
Veröffentlichung: 13. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/02G11C8/12G06F12/02G11C5/14G11C7/22G11C8/18G11C16/08G11C16/22G11C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

Vertreten von