Semiconductor structure and manufacturing method therefor
WO2022012333
Art A1
20. Januar 2022
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022012333
- Aktenzeichen
- EP21841300
- Anmeldetag
- 30. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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